Thư Viện Trường Đại học Hà Nội

TRA CỨU

DDC	621.39
Tác giả CN	Kundu, Sandip.
Nhan đề	Nanoscale CMOS VLSI circuits : design for manufacturability / Sandip Kundu, Aswin Sreedhar.
Thông tin xuất bản	New York :McGraw-Hill, c2010
Mô tả vật lý	296 p. :ill. ;24 cm.
Thuật ngữ chủ đề	Nanoelectronics
Thuật ngữ chủ đề	Kĩ thuật máy tính-TVĐHHN
Thuật ngữ chủ đề	Metal oxide semiconductors, Complementary-Design and construction.
Thuật ngữ chủ đề	Integrated circuits-Very large scale integration-Design and construction.
Từ khóa tự do	Các mạch tích hợp
Từ khóa tự do	Thiết kế và xây dựng
Từ khóa tự do	Điện tử nano
Tác giả(bs) CN	Sreedhar, Aswin.
Địa chỉ	100TK_Tiếng Anh-AN(1): 000081341


000	00000cam a2200000 a 4500
001	32413
002	1
004	42778
005	202103291118
008	141014s2010 nyu eng
009	1 0
020	\|a9780071635196
035	\|a426811674
035	##\|a426811674
039	\|a20241208231655\|bidtocn\|c20210329111828\|danhpt\|y20141014083951\|zsvtt
041	\|aeng
044	\|anyu
082	04\|a621.39\|bSAN
100	1 \|aKundu, Sandip.
245	10\|aNanoscale CMOS VLSI circuits :\|bdesign for manufacturability /\|cSandip Kundu, Aswin Sreedhar.
260	\|aNew York :\|bMcGraw-Hill,\|c c2010
300	\|a296 p. :\|bill. ;\|c24 cm.
650	00\|aNanoelectronics
650	07\|aKĩ thuật máy tính\|2TVĐHHN
650	10\|aMetal oxide semiconductors, Complementary\|xDesign and construction.
650	10\|aIntegrated circuits\|xVery large scale integration\|xDesign and construction.
653	0 \|aCác mạch tích hợp
653	0\|aThiết kế và xây dựng
653	0\|aĐiện tử nano
700	1 \|aSreedhar, Aswin.
852	\|a100\|bTK_Tiếng Anh-AN\|j(1): 000081341
890	\|a1\|b0\|c0\|d0

Dòng	Mã vạch	Nơi lưu	Chỉ số xếp giá	Loại tài liệu	Bản sao	Tình trạng	Thành phần	Đặt mượn
1	000081341	TK_Tiếng Anh-AN	621.39 SAN	Sách	1	Tài liệu chỉ đọc tại Thư viện